机译:使用低温下生长的InP在InP衬底上生长的改进的InAsP变质层
Centre for Emerging Device Technology, McMaster University, Hamilton, ON L8S 4L7, Canada;
机译:分子束外延生长具有InP和InAlP缓冲层的变质InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
机译:掺锑(Sb)对InP衬底上MOVPE生长的InAs_yP_(1-y)变质缓冲层的影响
机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:在GaAs衬底上生长的高速(207 GHz f / spl T /),低热阻,高电流密度变质InP / InGaAs / InP DHBT
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:低温生长晶体结构的生长和退火温度依赖性在INP基板上的 X / sub> Ga> 1-x / sub>中的晶体结构
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。