机译:堆叠的大型二元In / GaAs量子点结构中缺陷的形成和作用
School of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester, Manchester, M60 1QD, UK;
机译:堆叠的大型二元InAs / GaAs量子点结构中缺陷的形成和作用
机译:InAlGaAs和GaAs组合势垒厚度对MBE生长的InAs / GaAs量子点异质结构堆叠层中点形成持续时间的影响
机译:多堆叠InAs量子点/ GaAs结构中的缺陷产生
机译:基于GaAs的1.3μm量子点激光二极管,具有3层InAs DWELL(阱中孔)结构和Al_(0.7)Ga_(0.3)As包层
机译:自组装砷化铟量子点:结构,形成动力学,光学性质。
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:无缺陷的轴向堆叠GaAs / GaASP纳米线量子点,具有强大的载体限制