机译:碳对高速SiGeC异质结双极晶体管中中性基复合的影响
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, F-38926 Crolles Cedex, France;
机译:使用SiGe-Cap结构和高碳含量基极的低V_(BE)操作的SiGeC异质结双极晶体管的基极电流控制
机译:具有显着中性基极重组的SiGe异质结双极晶体管的输出电阻建模
机译:UHV / CVD SiGe异质结双极晶体管的中性基极重组及其对早期电压和电流增益-早期电压乘积的温度依赖性的影响
机译:减少窄带隙SiGeC基极异质结双极晶体管中的中性基重组
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高效光伏转换的三端异质结双极晶体管太阳能电池
机译:掺杂剂超越对Si / SiGe / Si杂交双极晶体管中性基础重组电流的影响