机译:在Sige /氧化物/ Si衬底上形成横向Sige隧穿场效应晶体管
Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Kee-Lung Rd., 106 Taipei, Taiwan, Republic of China;
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
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机译:SiGe源极和漏极的45 nm p型金属氧化物半导体场效应晶体管中SiGe的窄宽和长度依赖性以及黄道孤立应力引起的缺陷
机译:Si栅极全能纳米线隧道场效应晶体管的高开/关比的Ge凝聚工艺
机译:硅的横向固相外延及其在金属氧化物半导体场效应晶体管制造中的应用。
机译:功能性场效应晶体管内单个SiGe量子点上的X射线纳米衍射
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