机译:通过原子力显微镜对单个InAs量子点的实例进行高分辨率光电流成像
Institute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;
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机译:基于原子力显微镜的单个InAs表面量子点的室温光电流谱
机译:使用原子力显微镜和湿法化学刻蚀追踪深埋的InAs / GaAs量子点
机译:电子通过单个自组装InAs量子点的共振隧穿,通过导电原子力显微镜研究
机译:原子力显微镜和光致发光光谱在应变诱导和温度控制成核机制下表征自组织InAs / GaAs量子点
机译:单个半导体量子点和量子点聚集体的导电原子力显微镜研究。
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像,为量子光子器件选择单个Inas / Gaas量子点