首页> 外文期刊>Semiconductor science and technology >High resolution photocurrent imaging by atomic force microscopy on the example of single buried InAs quantum dots
【24h】

High resolution photocurrent imaging by atomic force microscopy on the example of single buried InAs quantum dots

机译:通过原子力显微镜对单个InAs量子点的实例进行高分辨率光电流成像

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Conductive atomic force microscopy in combination with an optical setup is a useful tool for obtaining spectrally and spatially resolved photocurrent information on photoactive nanostructures. We have demonstrated photocurrent mapping under ambient conditions using sub-surface InAs quantum dots (QDs) as an example, whereby the QDs appear as dark areas in the photocurrent signal. Spectrally resolved measurements of on-dot and off-dot areas show distinct differences, confirming the existence of QDs at the detected position.
机译:导电原子力显微镜与光学装置相结合是一种有用的工具,可用于获得有关光敏纳米结构的光谱和空间分辨光电流信息。我们已使用亚表面InAs量子点(QD)作为示例演示了在环境条件下的光电流映射,其中QD在光电流信号中显示为暗区。光谱解析的点上和点外区域的测量结果显示出明显的差异,从而确认了在检测到的位置上存在量子点。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor science and technology》 |2010年第6期|P.11.1-11.4|共4页
  • 作者单位

    Institute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;

    rnInstitute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;

    rnInstitute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;

    rnInstitute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;

    rnInstitute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;

    rnInstitute for Solid State Electronics, TU-Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:31:43

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号