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Effect Of Carbon On Dopant-vacancy Pair Stability In Germanium

机译:碳对锗中掺杂空位对稳定性的影响

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摘要

Density functional theory calculations were used to study the interaction between carbon and isolated substitutional dopants (boron, gallium, aluminium, indium, silicon, tin, nitrogen, phosphorous, arsenic and antimony) and dopant-vacancy pairs in germanium. It is predicted that there is a range of different association preferences, with carbon being strongly bound in some cluster geometries and dopants and unbound in others. If dopant-carbon pairs form they can act as vacancy traps to form larger and bound clusters. As vacancies are important for diffusion and cluster formation in germanium, the results are discussed in view of recent experimental studies.
机译:密度泛函理论计算用于研究碳与锗中孤立的替代掺杂物(硼,镓,铝,铟,硅,锡,氮,磷,砷和锑)和掺杂空位对之间的相互作用。据预测,存在一系列不同的缔合偏好,其中碳在某些簇几何结构和掺杂剂中牢固结合,而在其他簇几何结构和掺杂剂中未结合。如果形成了掺杂剂碳对,它们可以充当空位陷阱以形成更大的束缚簇。由于空位对于锗的扩散和团簇形成很重要,因此结合最近的实验研究对结果进行了讨论。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor science and technology》 |2011年第9期|p.117-120|共4页
  • 作者

    A Chroneos;

  • 作者单位

    Department of Materials, Imperial College London, London SW7 2AZ, UK;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:31:28

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