机译:电流拥挤导致InGaN基发光二极管的温度相关效率下降
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kyiv, Ukraine;
Ivan Franko Zhytomyr State University, 10008 Zhytomyr, Ukraine;
Ivan Franko Zhytomyr State University, 10008 Zhytomyr, Ukraine;
机译:基于InGaN的蓝色发光二极管和基于AIGalnP的红色发光二极管的电流和温度相关的效率下降
机译:基于IngaN的蓝色和AIGALNP的红色发光二极管的电流和温度依赖性效率级数
机译:基于温度的电致发光研究InGaN基蓝色和绿色发光二极管的下垂现象
机译:氮化铟镓基发光二极管中辐射复合速率对效率下降的重要性
机译:iii-v氮化物基发光二极管的峰值辐射效率和电子漂移引起的效率下降。
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
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