机译:两个横向晶体管合一单元架构中的可重写有机铁电随机存取存储器的概念
School of Global Convergence Studies, Hanbat National University, 125 Dongseodaero, Yuseong-gu, Daejeon 305-719, Korea;
School of Electrical Engineering, Seoul National University, Kwanak PO Box 34, Seoul 151-600, Korea;
School of Electrical Engineering, Seoul National University, Kwanak PO Box 34, Seoul 151-600, Korea;
School of Electrical Engineering, Seoul National University, Kwanak PO Box 34, Seoul 151-600, Korea;
organic field effect transistor; ferroelectric polymer; paraelectric depolarizing layer; random access memory;
机译:多级3位每单元磁性随机存取存储器概念及其相关控制电路架构
机译:基于有机铁电的1T1T随机存取存储单元,采用通用介电层,克服了半选问题
机译:FETRAM。基于有机铁电材料的新型随机存取存储单元
机译:具有随机动态参考单元的增强可靠性的铁电随机存取存储器
机译:铁电动电容器对铁电随机存取记忆性能增强的应力效应研究
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:多级3位每单元磁性随机存取存储器概念及其相关的控制电路架构。
机译:利用铁电晶体管的静态随机存取存储单元的I-V特性。