机译:在图案化的蓝宝石衬底上连续选择性生长半极性(11-22)GaN
CRHEA CNRS Ctr Rech Heteroepitaxie & Applicat, F-06560 Valbonne, France;
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semipolar GaN; selective growth; metal organic vapor phase deposition; stacking faults; patterned sapphire; cathodoluminescence;
机译:通过MOCVD在图案化蓝宝石衬底上生长的(11-22)半极性GaN中的缺陷减少方法:向无基础堆叠缺陷的异质外延半极性GaN迈进
机译:图案化蓝宝石衬底对半极性(11-22)GaN的发光二极管铟定位的影响
机译:在r平面图案化蓝宝石衬底上的半极性(11-22)GaN上制造的绿色发光二极管
机译:通过氢化物气相外延在图案化的蓝宝石衬底上生长半极性GaN衬底
机译:氮化镓在具有蛇形通道的图案化蓝宝石衬底上异质外延生长。
机译:通过基于H3PO4的蚀刻剂修饰微米尺寸的图案化蓝宝石衬底抑制侧壁GaN的初始生长
机译:高效(11-22)高质量的半极(11-22)高质量(11-22)GAN / SAPPHIRE模板的研究