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机译:台阶表面上生长的Al0.5Ga0.5N层中的缺陷分布和成分不均匀性
Leibniz Inst Hochstfrequenztech, Ferdinand Braun Inst, Berlin, Germany|Humboldt Univ, D-10099 Berlin, Germany;
Leibniz Inst Hochstfrequenztech, Ferdinand Braun Inst, Berlin, Germany;
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AlGaN; threading dislocation density; surface step; compositional inhomogeneity;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有高Al组成的AlGaN外延层的Al组成不均匀性
机译:吸收层中硫化温度的组成比分布对Cu2ZnSnS4太阳能电池缺陷和表面电学特性的影响
机译:具有3层高表面台阶的6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN层中的螺纹位错阵列的形成机理
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:光电子纳米材料的成分不均匀性和缺陷
机译:通过两步冷却工艺在InGaN外延层表面上生长的均匀尺寸的铟量子点
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