机译:分子束外延生长InP上InAlAs中的缺陷相关发光
Rzhanov Inst Semicond Phys, Pr Ak Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia;
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Rzhanov Inst Semicond Phys, Pr Ak Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia|Novosibirsk State Univ, 2 Pirogova Str, Novosibirsk 630090, Russia;
InAlAs/InP; defects; photoluminescence; localisation; S-shaped temperature dependence;
机译:InP衬底上分子束外延生长的InAlAs / InGaAs拟态高电子迁移率晶体管
机译:InP衬底上分子束外延生长的InAlAs / InGaAs拟态高电子迁移率晶体管
机译:半绝缘InP衬底对分子束外延生长InAlAs外延层的影响
机译:分子束外延在InP衬底上生长的InAlAs中光致发光线宽的激发依赖性
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:由改进的分子束外延生长的Inalas / Algaas量子点的发光性质
机译:氢化物纯度对化学束外延生长Inp和Inalas的影响