机译:GaAs集成无源器件制造工艺实现的双气桥结构电感器建模
Univ Jinan, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250022, Peoples R China;
Qingdao Univ, Coll Elect & Informat Engn, Qingdao 266071, Peoples R China;
Univ Jinan, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250022, Peoples R China;
Univ Jinan, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250022, Peoples R China;
Univ Jinan, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250022, Peoples R China;
Univ Jinan, Sch Informat Sci & Engn, Jinan 250022, Peoples R China;
Harbin Inst Technol, Dept Microwave Engn, Harbin 150001, Peoples R China;
GaAs substrate; inductor; integrated passive device; Modelling; lump elements; fabrication;
机译:基于集成无源器件技术的双气桥结构差分电感器的开发
机译:GaAs / AlGaAs双异质结构激光通过聚焦离子束刻蚀与无源波导整体集成
机译:基于GaAs的集成无源器件技术的具有空桥结构的高频兼容小型带通滤波器
机译:用于在柔性基板上制造集成无源和有源器件的材料和处理问题
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于GaAs的集成无源器件技术的具有空桥结构的高频兼容小型带通滤波器
机译:一种高频兼容的小型化带通滤波器,采用基于GAAS的集成无源器件技术的空气桥结构
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模