机译:CMOS LNA拓扑的SET分析和辐射硬化技术
Univ Las Palmas Gran Canaria, Inst Appl Microelect IUMA, Dept Ingn Elect & Automat, Las Palmas Gran Canaria, Spain;
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SET; TCAD; low noise amplifier (LNA); radiation hardened by design; heavy ion; recovery time; CMOS;
机译:采用标准CMOS工艺的标准CMOS技术的轨到轨辐射硬化运算放大器
机译:用于标准CMOS有源像素传感器辐射硬化的布局技术
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机译:在商业铸造厂设计辐射硬化的CMOS微电子元件:太空和陆地辐射环境以及减轻辐射影响的器件和电路技术
机译:可制造60GHz CMOS LNA的设计技术。
机译:具有像素内CDS放大的原位存储拓扑结构的CMOS超高速突发模式成像器的分析和设计
机译:CMOS仪表放大器的新辐射硬化设计及其耐受性特性分析