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机译:高开关电流比氧氮化物写入次读数 - 多次内存
Natl Yunlin Univ Sci & Technol Grad Sch Engn Sci & Technol Touliu 64002 Yunlin Taiwan|Natl Yunlin Univ Sci & Technol Grad Sch Elect Engn Touliu 64002 Yunlin Taiwan;
Natl Yunlin Univ Sci & Technol Grad Sch Engn Sci & Technol Touliu 64002 Yunlin Taiwan;
Natl Yunlin Univ Sci & Technol Grad Sch Elect Engn Touliu 64002 Yunlin Taiwan;
Natl Yunlin Univ Sci & Technol Grad Sch Elect Engn Touliu 64002 Yunlin Taiwan;
Jacobs Univ Bremen Comp Sci & Elect Engn Bremen Germany|Ferdowsi Univ Mashhad Elect Engn Mashhad Razavi Khorasan Iran;
titanium oxynitride; nitridation; resistive memory; oxide semiconductor; write-once-read-many-times;
机译:基于非晶钡钛酸钡的无定形型钛酸钙的电阻切换行为非常高的开关比和稳定性
机译:Al / Al-富铝/ p-Si二极管中基于充电控制电流调制的两端子一次写入多次读取存储设备
机译:反应直流磁控溅射等离子体电流密度对氮化钛和氧氮化钛薄膜形成影响的研究
机译:有机铁电存储二极管中的开/关电流比:状态密度的作用
机译:磁控溅射氮化钛和氧氮化钛的宽可调性,适用于等离子应用
机译:银纳米粒子装饰的氮氧化钛纳米管阵列可增强太阳能发电能力。
机译:基于al / al-Rich al 2 O 3 / p-si二极管中的充电控制电流调制的双端子一次读取多次读取存储器件
机译:磁矩阵开关及其在重合电流存储器中的应用