机译:通过后金属化退火工艺改善超薄Al_2O_3 / InAlN / GaN MOS-HEMT的DC性能和电流稳定性
Hokkaido Univ Grad Sch Informat & Sci Technol Sapporo Hokkaido 0608628 Japan|Hokkaido Univ Res Ctr Integrated Quantum Elect RCIQE Sapporo Hokkaido 0608628 Japan|Fujitsu Labs Ltd Atsugi Kanagawa 2430197 Japan;
Fujitsu Labs Ltd Atsugi Kanagawa 2430197 Japan;
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InAlN/GaN MOS-HEMTs; ultrathin-Al2O3; PMA; Al2O3/InAlN interface; drain current stability;
机译:具有1nm厚InAlN势垒的常关GaN / InAlN / AlN / GaN HEMT的建议和性能分析
机译:使用Zr $ hbox {O} _ {bm 2} $或Hf $ hbox {O} _ {bm 2} $进行栅极绝缘和电流塌陷抑制的InAlN / AlN / GaN HEMT的技术和性能
机译:(GaN)/ InAlN / GaN和InAlN / AlN / GaN HEMT中的栅极滞后效应和漏极滞后效应
机译:常关GaN MIS-HEMT,具有改善的直流热稳定性和动态性能
机译:改进GaN的LLC谐振转换器的技术,用于宽输入电压,高输出电流AC-DC和DC-DC应用
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:适用于坚固型HF接收器的InAlN / GaN HEMT技术:HF和LF噪声性能概述