机译:图案化Si衬底上制备的Ga掺杂ZnO薄膜紫外光电探测器的特性
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & Nanobion Vacuum Interconnected Nanotech Workstn Suzhou 215123 Peoples R China;
Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & Nanobion Key Lab Nanodevices & Applicat Suzhou 215123 Peoples R China;
Shanghai Univ Dept Mat Sci Shanghai 200444 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & Nanobion Vacuum Interconnected Nanotech Workstn Suzhou 215123 Peoples R China|Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & Nanobion Key Lab Nanodevices & Applicat Suzhou 215123 Peoples R China;
thin film; oxide semiconductor; ultraviolet photodetectors;
机译:图案化Si衬底上制造的GA掺杂ZnO薄膜紫外光探测器的特性
机译:退火温度对Ga掺杂ZnO薄膜金属-半导体-金属紫外光电探测器性能的影响
机译:在塑料基板上制造的自供电p-NiO / n-ZnO异质结紫外光电探测器
机译:使用基于膦酸的自组装单层处理改善聚合物光电探测器的特性,以进行Ga掺杂ZnO电极的界面工程设计
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:在塑料基板上制造的自供电p-NiO / n-ZnO异质结紫外光电探测器
机译:退火温度对Ga掺杂ZnO薄膜金属 - 半导体 - 金属紫外光电探测器特性的影响