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机译:12F〜2交叉点超快速相变存储器的读写可靠性分析和优化
Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat & Nanotechnol La Shanghai 200050 Peoples R China|Univ Chinese Acad Sci Beijing 100080 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat & Nanotechnol La Shanghai 200050 Peoples R China;
PCM; read/write reliability; 1D1R array; C-GST;
机译:一种提高交叉点相变存储器读取裕度的代码反转编码技术
机译:相变存储系统中读-修改-写模块的集成和增强
机译:2 MB嵌入式相位变更存储器,具有16-NS读取访问时间和90-NM BCD技术的5-MB / s写入吞吐量,用于汽车应用
机译:通过写取消和写暂停提高相变存储器的读取性能
机译:在成功应用相变记忆:解决写作运营中的挑战
机译:PEDOT PSS中的电阻性切换记忆现象:可切换二极管效应和一次写入多次读取记忆并存
机译:通过写取消和写暂停提高相变存储器的读取性能