机译:Ge pMOSFET中通过远程库仑散射评估空穴迁移率的降低
Weifang Univ Dept Phys & Elect Sci Weifang 261061 Peoples R China;
Chinese Acad Sci Key Lab Microelect Devices & Integrated Technol Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China|Univ Chinese Acad Sci Beijing 100049 Peoples R China;
Tsinghua Univ High Sch Beijing 100084 Peoples R China;
North China Univ Technol Microelect Dept Beijing 100041 Peoples R China;
germanium; MOSFET; mobility; Coulomb scattering;
机译:通过通过臭氧氧化的Geox散装Ge PMOSFET中的远程库仑散射和电荷分布通过远程库仑散射和电荷分布的空穴流动性降低
机译:不同PDA气氛对库普MOSFET迁移率进行远程库仑散射实验研究
机译:蒙特卡洛研究具有超薄高k电介质的纳米级Ge PMOSFET中的远程库仑和远程表面粗糙度散射
机译:低温下远程库仑散射对Si p-MOSFFET中空穴迁移率的影响
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:具有非晶硅钝化的高迁移率Ge pMOSFET:表面取向的影响
机译:由于GE MOSFET中远程库仑散射引起的电子迁移率降解
机译:al2O3 / Gasb界面和高迁移率Gasb pmOsFET的优化