机译:量子势垒组成对AlGaN基UVC发光二极管电光性能的影响
Tech Univ Berlin Inst Solid State Phys Hardenbergstr 36 D-10623 Berlin Germany;
Tech Univ Berlin Inst Solid State Phys Hardenbergstr 36 D-10623 Berlin Germany|Leibniz Inst Hochstfrequenztech Ferdinand Braun Inst Gustav Kirchhoff Str 4 D-12489 Berlin Germany;
AlGaN; deep UV LED; MQW; polarization; carrier injection;
机译:不对称凹值量子屏障的载流速调制,以提高基于AlGaN的深紫外发光二极管的性能
机译:通过引入季级级末端量子屏障改善基于AlgaN的紫外-C(UV-C)发光二极管
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的效率改进,具有渐变超晶格最后量子屏障和没有电子阻挡层
机译:势垒组成对InGaN多量子阱紫外发光二极管光输出的影响
机译:用于有机发光二极管的新型材料的合成和光电性能。
机译:图案硅衬底上生长的高外部量子效率基于AlGaN的深紫外发光二极管的生长与制备
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的奇妙光学性能与基于内仑的最后量子屏障和步进电子阻挡层