机译:通过霍尔效应测量,热退火对溅射的MoS_2薄膜的电物理特性的影响
Guilin Univ Technol, Coll Sci, Guilin 541004, Peoples R China;
Guilin Univ Technol, Coll Sci, Guilin 541004, Peoples R China;
Guilin Univ Technol, Coll Sci, Guilin 541004, Peoples R China;
MoS2 thin film; thermal annealing; Hall effect; structure; electrophysical;
机译:霍尔效应测量的热退火对溅射MOS_2薄膜电神理特性的影响
机译:热退火对粉末靶射频磁控溅射制备透明半导体Zn_2SnO_4薄膜特性的影响
机译:退火对溅射Cu__80 $ Co $ _20 $薄膜薄膜异常霍尔效应的影响
机译:直流反应磁控溅射退火对TiO_2.8薄膜电性能和热敏特性的影响的系统研究
机译:(100)硅上溅射镍钛薄膜的等温和等时退火过程中的应力演变。
机译:NIR退火对RF溅射Al掺杂ZnO薄膜特性的影响
机译:NIR退火对RF溅射Al掺杂ZnO薄膜特性的影响