机译:先进的冲压机驱动高ar蚀刻
机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:蚀刻轮廓对3-D DRAM存储电容的漏电流和电容的影响
机译:通过使用倾斜离子注入(TIS-Fin)来控制低于50nm DRAM的氧化物刻蚀速率的鞍鳍单元晶体管
机译:在先进的DRAM制造中改善对接触塞的干法蚀刻控制
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:对翻译起始因子4E或其同工型的特殊要求可驱动植物宿主对烟草蚀刻病毒的易感性
机译:“仿生原理能否与先进的制造技术和刺激响应材料相结合,推动可穿戴和植入式生化传感器的革命性进步?”
机译:高级64mb 3.3V DRam的辐射评估及尺度对辐射硬度影响的见解