ニューフレアテクノロジー WBGパワーデバイス対応 高品質な成膜実現

摘要

㈱ニューフレアテクノロジー(横浜巿磯子区新杉田町8-1、☎045-370-9127)は、Siエピタキシャル成長装置「HT2000FD」の高速回転技術を発展させてGaNon Siエピタキシャル成長装置「EPIREVO G8」(写真)、およびSiCエピタキシャル成長装置「EPIREVO S6」を巿場投入している。いずれの装置も、①ウエハーの高速回転による高速かつ高均一な成膜、②緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布、③高精度な面状ヒーターをウエハーに非接触で配置することで高い温度均一性と高速な昇降温特性の3つのコア技術により、ウエハー全面で均一性良く、高スループットで成膜することができる。