机译:GaAs中带电空位对单个掺杂剂结合能的可调场控制
Department of Physics, Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA;
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机译:通过调整ZnS / CdSe核/壳量子点中的单个掺杂剂位置,磁场强度和壳厚度来控制结合能
机译:压力和磁场对单和耦合GaAs-AlGaAs量子阱中激子态结合能的影响
机译:GaAs(110)中单个Si掺杂剂的可调开关动力学
机译:单inAs / GaAs量子点中精细结构分裂和激子绑定能量的前u控制
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:控制单个纳米粒子中多种掺杂剂之间的能量转移
机译:异位控制精细结构分裂和激子结合 单个Inas / Gaas量子点中的能量
机译:Gaas和alas / Gaas超晶格中三次负电荷Ga空位的瞬态扩散 - 偏聚过程模拟