InP系のDHBトランジスタで800GHz超の電流利得遮断周波数NTTが実現

摘要

NTTは、インジウムリン(InP)系化合物半導体結晶成長技術と、ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)製造技術の高度化により、800GHz(ぶガヘルツ)を超える電流利得遮断周波数(fT)を有するトランジスタの開発に成功した。これは、従来の最高値であるイリノイ大学が2006年に開発したInP-SHBT(シングルヘテロ接台バイポーラトランジスタ)の765GHzを上回る世界最高速値。同トランジスタを用いることで、集積回路の劇的な高速化•高性能化が可能となり、マルチテラビット(Tbps)級の光伝送やテラへルツ(THz)帯を利用した大容量無線通信、センシング•イメージングなど、将来のスマート社会を支える高度な情報通信システムやサービスの実現が見込まれるとしており、今後、NTTでは同技術をNTTグループのIOWN構想や、Beyond 5Gの世界実現に活用していきたい考えである。