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欠陥のないエッジ構造持つグラフェンナノリボン作製 東北大

机译:具有无缺陷边缘结构的石墨烯纳米带的制作东北大学。

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摘要

東北大学原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)および流体科学研究所(IFS)の寒川誠二教授らの研究グループはこのほど、同教授が独自に開発した中性粒子ビーム加工技術を用いてグラフェンシートに損傷を与えず、無欠陥エッジ構造を持つグラフェンナノリボンを作製、世界で初めて化の4乗以上という高いオン/オフ比を有する電気特性を実現した。これにより、グラフェンナノリボントランジスタの実用的な製造プロセスに見通しがつき、2019年以降の超高速デバイスの開発に大きく道が開けた。
机译:东北大学高级材料科学研究所(AIMR)和流体科学研究所(IFS)的教授,川川诚治(Seiji Samukawa)教授的研究小组最近利用他开发的中性束加工技术开发了一种石墨烯片。我们创建了一种具有无缺陷边缘结构而不损坏它的石墨烯纳米带,并首次实现了具有超过4功率的高开/关比的电气特性。这样一来,石墨烯纳米带晶体管的实际制造工艺的前景便会打开,2019年后超高速器件的开发将有一个巨大的空缺。

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  • 来源
    《科学新聞》 |2013年第25期|4-4|共1页
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