机译:InGaN多量子阱蓝紫色激光二极管的特性
State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); GaN-based laser diodes; multiple quantum well; ridge waveguide; threshold current;
机译:蓝紫色激光二极管在InGaN多量子阱和外延层中的差分吸收
机译:影响蓝紫色InGaN多量子阱激光二极管性能的关键因素:非辐射中心
机译:影响蓝紫色InGaN多量子阱激光二极管性能的关键因素:非辐射中心
机译:CW IngaN多量子孔激光二极管的性能特征
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:利用数值模拟研究InGaN双量子阱蓝激光二极管的异常温度特性
机译:InGaN-alGaN多量子阱激光二极管的特性
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质