机译:Si衬底GE外延膜激光再结晶Si-Ge跨越的研究
Xian Univ Sci & Technol Sch Elect & Control Engn Xian 710054 Peoples R China;
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Wide Band Gap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Peoples R China;
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Wide Band Gap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Peoples R China;
Si-Ge Interdiffusion; Laser Recrystallization; Ge Epitaxial Film on Si Substrate; Thermal Annealing; Sentaurus Process;
机译:松弛Si_(1-x)Ge_x衬底上外延异质结构中Si-Ge互扩散的应变依赖性
机译:SOI衬底上外延生长的Si-Ge薄膜的室温热电性质
机译:高压缩应力下外延SiGe异质结构中氧化条件下的Si-Ge互扩散
机译:激光烧蚀生长和表征硅上的外延Si-Ge虚拟基体
机译:使用脉冲激光沉积在光电子器件上的锗上外延砷化镓薄膜的生长和表征。
机译:脉冲激光沉积在Si(111)衬底上生长AlN外延膜的界面反应控制及其机理
机译:掺杂对外延锗薄膜质量和si-Ge的影响 互扩散
机译:通过区域熔融再结晶和随后的外延生长在siO 2涂覆的si衬底上制备的si薄膜中的微秒载流子寿命