新日本無線 高音質ォーディォ用SiC 25、26日、開催 秋のヘッドフォン祭で試聴デモ

摘要

新日本無線のォーディォ用高音質半導体デバイス「MUSES」のラインアップ強化とデンソーのSiC技術「REVOSIC」の新用途開拓を目的に、両社はォーディォパヮーデバイス用SiC-MOSFETの共同開発を行ってきた。25、26日、東京中野区の中野サンプラザで開催される「秋のへッドフォン祭2014」(フジヤエービック主催) の新日本無線ブースで、新デバイス搭載のヘッドホンアンプの試聴デモを行う。