高性能の電力変換機能提供 日本TIが600V70mΩのGaN FETパワーステージ製品発表

摘要

日本テキサス•インスツルメンツ(日本TI)は、動作電圧600V、導通時抵抗70mΩのGaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)を統合したパワー·ステージのエンジニアリング·サンプルを出荷すると発表した。TIは同製品の発表により、ドライバー内蔵の高電圧GaNソリューションを公式にサンプル出荷した業界初で唯一の半導体メーカーとなった。