次世代パワー半導体市場拡大 SiC、GaN電力損失を半減 省エネ化の切り札

摘要

装置が小型で電力損失を半分にする次世代パワー半導体市場が拡大する。電力を変換するコンバータやインバータなどの制御に使われるSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)半導体は、「省エネの切り札」としての期待が集まる。次世代パワー半導体(*)は、シリコン(Si)半導体を超える特性を持つ。これを置き換えれば、電力変換時に発生するロスを大幅に削減できる。その効果は、国内分だけでも原子力発電数基台に相当するといわれている。