米WD次世代3D NAND開発メモリーセル96層実現

摘要

米ウエスタンデジタル(WD)は27日、メモリーセルを96層積層した次世代3次元(3D)NAND型フラッシュメモリー「BiCS4」の開発に成功したと発表した。17年下期にOEM顧客向けにサンプル出荷を開始、18年に量産に着手する予定だ。