IMEC超低消費電力で広帯域幅シリコンフォトニクスとFinFET技術を混成集積光トランクーバ開発

摘要

ベルギーに本部を置くナノエレクトロニクスの国際研究機関であるIMECは、シリコンフォトニクスとFin FET CMOS技術を混成集積することで、超低消費電力と広帯域幅を実現した光トランシーバを開発した。先月、米国で開催された「テクノロジーフォーラム」で、超低電力光I/o用ハイブリツドFinFETーシリコン·フォトニクスの技術実証を行った。わずか230fJ/ビツトの動的消費電力、占有面積0.025平方ミ　メーリトルの小型40ギガbps非ゼロ復帰(NRZ)光トランシーバの開発は、次世代高性能コンピュータアプリケーションにおいて、超高密度でマルチT (テラ)bps光I/Oを実現する重要な一歩になると、IMECは説明。