韓国SKハイニックスLPDDR4量産開始1αナノメートル、EUV露光技術採用

摘要

【ソウル支局】韓国のSKハイニックスは12日、第4世代10ナノメートルプロセス技術「1αナノメートル」およびEUV(極端紫外線)露光技術を使用したLPDDR4モバイルDRAMの量産を開始したと発表した。最先端プロセスを用いることで前世代1zナノメートルに比べて生産効率が25%向上。4266メガビツト秒の高速転送レートで20%の低消費電力を実現した。