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支える半導體体製造リガクX線でウェハー膜厚測定検出器などコア技術を内製

机译:支持的半导体制造Rigaku X射线晶片膜厚度测量检测器等。

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摘要

ウエハーの膜厚は、先端品では数ナノメートルと超薄膜が要求される。膜厚の精度は半導体の品質に大きく影響するため、高精細な検査装置での評価が必要となる。X線を使った膜厚測定は①X線をウエハーに入射すると物質の原子種に応じて波長の異なる蛍光X線が励起②物質固有のエネルギーである蛍光X線の強度に対する膜厚を校正曲線に従って換算ーというプロセスで行う。
机译:几纳米和超薄膜需要晶片的膜厚度。 由于膜厚度的精度大大影响了半导体的质量,因此需要用高清晰度检查装置评估。 当波长入射在晶片上时,使用X射线入射在晶片上的膜厚度测量,并且具有不同波长的荧光X射线被激发2至荧光X射线的强度,这是一种能量特征的能量校准曲线在转换过程中进行。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2021年第18204期|5-5|共1页
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