未来を拓く技術者·研究者に聞く

摘要

電気エネルギー変換の鍵を握る半導体パワーデバイス。その性能向上のための新材料として最も有望とされているSiC(シリコンカーバイド、炭素ケイ素）の研究開発に長年取り組み、業界初の研究開発を連打。製品化でも業界をリードするロームのSiC開発キーマンのひとりがシステムソリューションエンジニァリング本部FAE1部ハイパワーFAE課課長の三浦峰生氏だ。開発したSiCパワーMOSFETのチャンネルの作り込み技術は、令和元年度近畿地方発明表彰の特許庁長官賞を受賞した。同社独自のダプルトレンチ構造を進化させ、業界トップの低オン抵抗を実現した第4世代SiC-MOSFETの開発、6月からのベアチップのサンプル提供開始へとつないでいる。