半導体製造前工程も対応カーブトレーザで微小電流評価

摘要

パヮーエレクトロニクスの開発と応用が活発に行われている。パヮエレ開発では、省電カ化に対応してSiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)などのパヮー半導体を活用する。速い信号を捉えるため、より高帯域•高速サンプリングの計測器が求められている。計測各社のパヮエレ分野での注カソリューションを概観する。