パワーデバイス材料SiCの表面への電流の流れを数値化名古屋工業大学が成功

摘要

大電力の電圧変換に用いられるパワーデバイスとして、シリコンカーパイド（SiC)という結晶材料の採用が期待されている。大きな電力を制御するパワーデバイスを作るには、SiC結晶に均一に電流を流す必要があるが、結晶には必ず表面が存在し、電流は勝手に表面へと流れてしまう。名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授の研究グループはこの表面への電流の流れを、様々な温度や表面の状態において、数値化することに成功した。この数値はSiCパワーデパイスの設計を容易にし、SiCパワーデバイスの低価格化につながる。