東芝チャンネル領域の抵抗40%低減SiC-C-MOSFETN2ガス使った新プロセス技術

摘要

東芝は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに開発してきたゲート絶縁膜プ口セス技術をさらに発展させ、今回、実際の縦型デバイスに適用した結果、従来技術と比較して、チャンネル領域の抵抗を約40%低減することに成功した。