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【24h】

磁気ヘッドに最適な高性能TMR素子を開発: 超高密度ハードディスク用磁気ヘッドに目処

机译:开发适用于磁头的高性能TMR元件:瞄准超高密度硬盘的磁头

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摘要

酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。このTMR素子は、低い素子抵抗とともに室温で140%という巨大な磁気抵抗比を持つもので、次世代の超高密度ハードディスク用の磁気ヘッドへの応用が期待される。
机译:我们已经开发了一种使用氧化镁作为隧道势垒的隧道磁阻(TMR)器件。该TMR元件具有低的元件电阻并且在室温下具有140%的巨大的磁致电阻率,并且有望被应用于下一代超高密度硬盘的磁头。

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