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中間体を使用せず基板上にNano-CMOSチップの接続が可能AT&S社が基板中のFan-Outを発展させ

机译:纳米CMOS芯片连接在电路板上也是可能的,而无需使用中间AT&S在电路板中开发扇出

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摘要

オーストリアのプリント基板メーカ一最大手であるAT&S社は、基板中のファンァゥト(Fan-Out)システムを発展させて、RFデバイスとプロセッサモジュールのシステムレベル•インテグレーションの実現を目指している。ファンアウト技術は、Nano-CMOS IC (高性能力つ低消費電力のシリコンナノデバイス)のI/Oパッドの接続を、広範囲にわたつて配置する際に使用される。同技術によって、システムレベルのプリント基板接続において、バンプのピッチとデバイスサイズへの要求を緩和させることができる。またファンァゥト•レイヤーは、従来のフリップチップ•サブストレートの代替として、すでに使用されているケースもある。スマートフォンのプロセッサでファンァゥト型パッケージが使われているのが、よく知られている例である。ファンアウト型パッケージの利点は、電気配線が短いことと、厚みを薄くすることができることである。一方、現在のファンアウト型パッケージの欠点は、機械的安定性の問題から、実装できる部品の個数に制限があり、大型のモジュールに多数の部品を取り付けることができないということである。現時点では、多数の部品を取り付ける唯一の方法は、ラミネートベースのプリント基板、および従来のSMT(表面実装)サブストレートを使用することである。同社は、独自の「Fan-Out System-in-Board (FO-SiB)」技術を使って、現在のフアンアウト型パッケージに替わる、ボ一ドレベルのパッケージの開発を進めている。
机译:奥地利印刷委员会制造商AT&S,在基板中开发了一个扇出系统,实现了RF器件和处理器模块的系统级别•实现集成。扇出技术用于纳米CMOS IC的I / O焊盘的各种连接(具有高能力的低功耗硅纳米型)。该技术允许系统级印刷电路板连接,以减轻凸块间距和设备尺寸请求。此外,Fante层可能已被用作传统的翻转芯片的替代品•基板。众所周知的示例是智能手机处理器中使用扇形封装。扇出包装的优点是电布线是短的,并且可以减小厚度。另一方面,电流扇出包的缺点是由于机械稳定性问题,可以实现的部件的数量受到限制,并且大量部件不能附接到大模块。目前,连接多个部件的唯一方法是使用基于层压的印刷电路板和传统的SMT(表面安装)基板。该公司正在开发升压级别包,使用自己的“扇出系统内(FO-SIB)技术”更换当前的Juan-Out包。

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  • 来源
    《プリント回路ジャーナル》 |2019年第1802期|2-2|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-18 21:57:45

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