机译:4H-SiC(0001)/ SiO_2接口原子和电子结构的理论和实验研究
Center for Computational Sciences University of Tsukuba Tsukuba Ibaraki 305-8577 Japan and JST-PRESTO Kawaguchi Saitama 332-0012 Japan;
Center for Computational Sciences University of Tsukuba Tsukuba Ibaraki 305-8577 Japan Center for Materials Research by Information Integration National Institute for Materials Science (NIMS) Tsukuba Ibaraki 305-0044 Japan;
Nitto Denko Corporation Ibaraki Osaka 567-8680 Japan;
School of Materials Science Japan Advanced Institute of Science and Technology Nomi Ishikawa 923-1292 Japan;
机译:4H-SiC(0001)/ SiO_2界面原子和电子结构的理论和实验研究
机译:APS -APS March Meeting 2017-事件-4H-SiC(0001)/ SiO $ _2 $界面的原子和电子结构的第一性原理研究
机译:APS -APS 3月会议2017年 - 活动 - 首先原则研究原子和电子结构4H-SIC(0001)/ SIO $ _2 $界面
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机译:4H-SiC(0001)/ SiO2界面原子和电子结构的理论和实验研究