机译:二维Si累积通道中的电子旋转和动量寿命:在室温下演示肖特基 - 屏障旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管
Univ Tokyo Dept Elect Engn & Informat Syst Bunkyo Ku 7-3-1 Hongo Tokyo 1138656 Japan;
Univ Tokyo Dept Elect Engn & Informat Syst Bunkyo Ku 7-3-1 Hongo Tokyo 1138656 Japan;
Univ Tokyo Dept Elect Engn & Informat Syst Bunkyo Ku 7-3-1 Hongo Tokyo 1138656 Japan|Univ Tokyo CSRN Bunkyo Ku 7-3-1 Hongo Tokyo 1138656 Japan;
Univ Tokyo Dept Elect Engn & Informat Syst Bunkyo Ku 7-3-1 Hongo Tokyo 1138656 Japan|Univ Tokyo Inst Innovat Int Engn Educ Bunkyo Ku 7-3-1 Hongo Tokyo 1138656 Japan;
机译:二维Si累积通道中的电子自旋和动量寿命:室温下肖特基势垒自旋金属氧化物半导体场效应晶体管的演示
机译:二维Si累积通道中的电子旋转和动量寿命:在室温下演示肖特基 - 屏障旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管
机译:基于Si的旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管中的旋转传输:旋转漂移效果在反转通道中,N〜+ -SI源/漏区中的旋转弛豫
机译:Si二维累积通道中的电子自旋寿命和动量寿命:室温下自旋MOSFET的演示
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:二维Si累积通道中的电子旋转和动量寿命:在室温下演示肖特基 - 屏障旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K