机译:在倾斜磁场中对Si / SiGe量子阱的磁化强度中的自旋和谷值分裂进行直接测量
Institut fuer Angewandte Physik, Universitaet Hamburg, Jungiusstrasse 11, 20355 Hamburg, Germany;
novel experimental methods; measurements; surface states; band structure; electron density of states; quantum wells;
机译:倾斜的SiGe衬底上生长的Si量子阱中谷分裂的磁场依赖性
机译:现实的Si / SiGe量子阱中谷分裂的磁场依赖性
机译:利用倾斜磁场中的弱反定位和自旋零效应研究了InGaAs / InP量子阱中的电子自旋轨道分裂
机译:用倾斜磁场使用磁阻测量来旋转InGASB 2DEG的表征
机译:直接磁场测量的流动动力学和微湍流增强了磁化同轴加速器通道中的电子碰撞性。
机译:掺杂单磁性离子的拓扑绝缘子量子点中自旋分裂的电场调谐
机译:在倾斜磁场中对Si / SiGe量子阱的磁化强度中的自旋和谷值分裂进行直接测量