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机译:CoSb_3中稀土原子的填充分数极限:从头算方法
State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;
theories and models of crystal defects; thermoelectric and thermomagnetic effects;
机译:CoSb_3中杂质填充分数限值的理论研究
机译:从头开始以非原子分辨率进行重原子蛋白质的定相:在不对称单元中将可溶结构的大小限制提高到7890个非H原子
机译:单个金原子与13个原子金簇之间的碰撞:从头算方法
机译:COSB_3中杂质填充分数极限的研究
机译:超出填充分数限制:一种增强填充的Co4Sb12方钴矿的热电性能的方法。
机译:深入了解静电势的影响氢键配合物与碳键合化合物的转化机理研究络合物:分子中的原子的从头算和量子理论调查中
机译:$ 4f $ - $ 3d $交换与有限温度磁性的相关性 稀土永磁体:基于ab-initio的自旋模型方法 NdFe $ _ {12} $ N