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机译:降低Drude电导率时孔-孔相互作用的重新归一化:门控GaAs / In_xGa_(1-x)As / GaAs异质结构
Institute of Metal Physics RAS, 620219 Ekaterinburg, Russia;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors; quantum wells; weak or anderson localization;
机译:由于无序二维系统GaAs / In_xGa_(1-x)As / GaAs中的量子干扰而导致的Drude电导的极大抑制
机译:应变对重要的III-V量子阱的能带偏移的影响:In_xGa_(1-x)N / GaN,GaAs / In_xGaGa(1-x)P和In_xGa_(1-x)As / AlGaAs
机译:GaAs / In_xGa_(1-x)As / GaAs量子阱异质结构中空穴气体的反定位和自旋轨道耦合
机译:菌株对III-V量子阱的带偏移的影响:IN_XGA_(1-x)P / GAA,IN_XGA_(1-x)AS / AL_(0.2)GA_(0.8)AS和IN_XGA_(1-x)n /甘
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:跨GaAs / AlGaAs异质结构界面的纳米级热传输
机译:减小Drude中孔洞相互作用的重整化 电导率
机译:18微米截止长波长In_xGa_(1-x)as / Gaas量子阱红外光电探测器