...
机译:乙炔与H-Si(001)(1 X 1)的表面反应的第一性原理研究
Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Apartado Postal 2681, Ensenada, Baja California 22800, Mexico;
semiconductor surfaces; chemisorption/physisorption: adsorbates on surfaces; ab initio calculations of adsorbate structure and reactions;
机译:过渡金属Ni原子与裸露的Si(001)和H端接的Si(001)-(2x1)表面的反应过程:第一性原理研究-艺术。没有。 165309
机译:过渡金属Ni原子与裸露的Si(001)和H端接的Si(001)-(2x1)表面的反应过程:第一性原理研究-艺术。没有。 165309
机译:从头开始研究干净的Si(001)和H-Si(001)表面上Au原子的吸附和扩散
机译:AB-LNITIO在清洁Si(001)和H-Si(001)表面上Au原子的吸附和扩散研究
机译:分子氧在Ru(001)上的吸附动力学和动力学,以及气相原子氧在预先覆盖的Pt(111)Ir(111)和Ru(001)表面上的反应动力学。
机译:具有Ba表面空位的二维BaTiO3(001)超薄膜的多铁性的第一性原理研究
机译:SiO2原子层沉积期间WO3(001)在WO3(001)上的第一原理研究SiO2的原子沉积
机译:二氧化甲基膦酸二甲酯在TiO2锐钛矿(001)表面吸附的第一性原理研究:形成稳定的钛氧基(Ti = O)位点