机译:双轴应变硅电子性质的第一性原理研究:对电荷载流子迁移率的影响
elemental semiconductors; elemental semiconductors; low-field transport and mobility; piezoresistance;
机译:双轴应变三氧化钼(MoO_3)的电子结构和载流子迁移率的第一性原理预测
机译:钙钛矿CH3NH3SnI3中电子结构和载流子迁移率的第一性原理混合功能研究
机译:利用第一原理计算的散射松弛时间来增强散装硅 - 锗合金的电子热电性能
机译:双轴和单轴应变对体和超薄SOI MOSFET中载流子迁移率影响的实验研究
机译:首先原理研究尺寸和应变对硅和碳化硅纳米结构的电子性能的影响。
机译:砷和锑的纳米带的电子结构和载流子迁移:第一性原理研究
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