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机译:InAs / GaAs量子点中的空穴自旋初始化和弛豫时间
Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 Place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, France;
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Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 Place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, France;
Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 Place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, France;
Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 Place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, France;
Institut des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 Place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, France;
Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France;
spin relaxation and scattering; optical creation of spin polarized carriers; quantum dots; Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
机译:双声子过程和超精细相互作用限制了InAs / GaAs量子点中缓慢的空穴自旋弛豫时间
机译:GaAs / AlGaAs量子阱和InAs / GaAs自组装量子点中光激发电子的带内弛豫
机译:InAs / GaAS量子点中电子空穴自旋弛豫的两个时标
机译:Intraband兴奋状态和在INAS / GAAs自组装量子点中的放松时间
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:InAs / InGaAs量子点中连续体背景对载流子弛豫的影响
机译:InAs / GaAs量子点中的空穴自旋初始化和弛豫时间
机译:Inas / Gaas堆积量子点和多量子阱中应变弛豫对拉曼光谱的影响