机译:谷自由度对Si / SiO_2界面附近施主电子控制的影响
Institute de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain;
Instituto de Fisica, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Caixa Postal 68528, 21941-972 Rio de Janeiro, Brazil;
Instituto de Fisica, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Caixa Postal 68528, 21941-972 Rio de Janeiro, Brazil;
Institute de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain;
semiconductor devices; single electron devices; quantum computation;
机译:硅对靠近Si / SiO_2界面的给体电子的谷值干扰效应模型
机译:Si / SiO_2界面上供体电子交换的外场控制
机译:电检测的双电子-电子共振:P供体与Si / SiO_2界面处的P_(b0)缺陷的交换相互作用
机译:具有可影响的自由度的欠驱动机械手的脉冲时间最优控制
机译:具有谷自由度的二维电子。
机译:新型四自由度电容力传感器用于皮肤界面力的可行性
机译:谷值自由度对供体电子控制的影响 靠近si / siO_2界面
机译:具有本体感受反馈和多个自由度的物理控制接口