机译:通过第一性原理计算研究Ti_(1-x)Mg_xN_y合金的金属至半导体过渡和相稳定性
Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping University, SE-581 83 Linkoeping, Sweden;
semiconductor compounds; metal-insulator transitions and other electronic transitions;
机译:过渡金属掺杂的IV族半导体的第一性原理研究:R_xY_(1-x)(R = Cr,Mn,Fe; Y = Si,Ge)
机译:Sc掺杂对Zr_(1-x)Sc_xO_2相稳定性和相变机理的影响:第一性原理计算和Rietveld精细化
机译:从第一性原理计算得出δ-Pu_(1-x)M_x(M = Ga和Al)合金的异常热力学性质和相稳定性
机译:过渡金属对第一原理计算的Ti合金β相稳定性的合金作用
机译:金属有机气相外延生长的薄膜InMnSb多相半导体合金的相稳定性和铁磁性
机译:磁性半导体的第一性原理研究:以过渡金属修饰的二维SnS单层膜为例
机译:通过第一性原理计算研究Ti1-xMgxNy合金的金属至半导体过渡和相稳定性